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  • Model：PMBFJ113
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：P13
  • Package：SOT-23/SC59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		±40 V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		－40 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		2 mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		－3.0~－0.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsN-channel junction FET PMBFJ113 General description Symmetrical N-channel junction FETs in a SOT23 package. Features and benefits High-speed switching Interchangeability of drain and source connections Low RDSon at zero gate voltage (< 30  for PMBFJ111). Applications Analog switches Commutators Multiplexers Thin and thick film hybrids.
描述与应用N沟道结型场效应管 PMBFJ113 说明 对称N沟道结场效应晶体管采用SOT23封装。 特点 高速开关 漏极和源极连接的互换性 在零电压（<30为PMBFJ111），低导通电阻。 应用 模拟开关 换向器 多路复用器 薄厚膜混合动力汽车。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMBFJ113
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