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Inventory:74740 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：RHU002N06
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+12kNOPB 06+NOPB62K
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KP
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20v
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @20A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. High speed switching. Wide SOA.
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关。 宽SOA

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RHU002N06
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