Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：RTL020P02
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB 06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WU
  • Package：SOT-363/SC70-6/TUMT6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		250mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.7~-2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1W
Description & Applications2.5V Drive Pch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. Applications DC-DC converter
描述与应用2.5V驱动P沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）高功率封装。 3）高速开关。 4）低电压驱动。 应用 DC-DC转换

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RTL020P02
*Title：
Message：
*Code：