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Inventory:4700 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1553DL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+07NOPB2200
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：RAY
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V/12V
最大漏极电流Id
Drain Current		660mA/-410mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA/1.8Ω@ VGS =-2.5V, ID =-250mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6V/-0.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		270mW/0.27W
Description & ApplicationsComplementary 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用互补2.5-V（G-S）的MOSFET

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1553DL
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