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Inventory:1943 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：SI2305DS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB100 4* 环保的205个，没环保的76+244+55+700+395+268 2020-3-3D
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A5/R5
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.044Ω @-3.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.25-W，1.8 V（G-S）的MOSFET

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2305DS
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