Please log in first
Home
Cart0
Inventory:49 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI4431DY
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：0
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4431
  • Package：SO8/SOIC8/SOP8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		29mΩ@ VGS = -10V, ID = -5.3A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI4431DY
*Title：
Message：
*Code：