Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1500 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：L2SA812SLT1G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：M7
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−150mA/-0.15A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		180MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		270~560
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-300mV/-0.3V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsPNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistors FEATURES High Voltage NPN complement: L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements
描述与应用PNP外延平面晶体管 通用晶体管 特点 高电压 NPN补充：L2SC1623  我们声明，对产品材料遵守RoHS要求

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
L2SA812SLT1G
*Title：
Message：
*Code：