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Inventory:4110 Min Order：10
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  • Model：SSM6J51TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB 06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KPC
  • Package：SOT-363/SC70-6/US6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		54mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.3~-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) High Current Switching Applications • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low on-resistance: Ron = 54 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 85 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) 150mΩ(max) (@VGS = -1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOSⅣ） 高电流开关应用 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻RON =54MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） 85毫欧（最大值）（@ VGS=-1.8 V） 150MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6J51TU
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