Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM6L12TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K9
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V/12V
最大漏极电流Id
Drain Current		500mA/-500mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		145mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 500mA/ 260mΩ@ VGS = -4V, ID = -250mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.5~1.1V/-0.5~-1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance Q1: RDS(ON) = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P/ N沟道MOS类型 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻Q1：RDS（ON）=180mΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） Q2：RDS（ON）=430mΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6L12TU
*Title：
Message：
*Code：