Please log in first
Home
Cart0
Inventory:115 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SSM6K24FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NF
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance145mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 500mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅N沟道MOS类型（U-MOSIII） 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻RON =145mΩ（最大）（@ VGS= 4.5 V） R ON=180mΩ（最大）（@ VGS= 2.5 V）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6K24FE
*Title：
Message：
*Code：