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Inventory:2900 Min Order：10
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  • Model：SSM6N04FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DC
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		1200mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.7~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switch Applications ●With built-in gate-source resistor: RGS = 1 MΩ (typ.) ●2.5 V gate drive ●Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V ●Small package
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 ●借助内置的栅极 - 源极电阻器：RGS= 1MΩ（典型值） ●2.5 V门极驱动 ●低栅极阈值电压VTH =0.7〜1.3 V ●采用小型封装。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N04FU
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