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Parameters：

  • Model：UPA836TC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：V47
  • Package：SOT-563

V(BR) CBO

Collector-Base Voltage

  Q1/Q2=9V/9V

V(BR) CEO

Collector-Emitter Voltage

  Q1/Q2=6V/6V
Collector Current(IC)  Q1/Q2=30MA/100MA
Transtion Frequency(fT)  Q1/Q2=12GHZ/9GHZ
DC Current Gain(hFE)  Q1/Q2=75~150/80~160

VCE (sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

  Q1/Q2=
Power Dissipation （Pd）  
Description & Applications  NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
• LOW HEIGHT PROFILE:
Just 0.55 mm high
• FLAT LEAD STYLE:
Reduced lead inductance improves electrical
performance
• TWO DIFFERENT DIE TYPES:
Q1 - Ideal oscillator transistor
Q2 - Ideal buffer amplifier transistor
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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
UPA836TC
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