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  • Model：2SK2788VY90TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：VY
  • Package：SOT-89/UPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.12Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.12 Ω typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current 4 V gate drive devices
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=0.12Ω典型（VGS=10V，ID= 1） 低驱动电流 4 V门驱动装置

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2788VY90TR
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