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Inventory:6000 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：BC858CLT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3L
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		−30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−30V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−100mA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		100MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		420~800
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-250mV/-0.25V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		225mW/0.225W
Description & ApplicationsGeneral Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available
描述与应用通用晶体管 PNP硅 特点 •无铅包可用

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BC858CLT1
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