Please log in first
Home
Cart0
Inventory:6500 Min Order：100
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：RW1E014SN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：PN
  • Package：SOT-563

Drain-Source Voltage （Vds）  30V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  ±20V
Drain Current （Id）  1.4A
Drain-Source On-State （Rds）  ID= 1.4A, VGS= 4V RDS=270~380mΩ

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  1~2.5v
Power dissipation （Pd）  0.7w
Description & Applications  4V Drive Nch MOSFET
1) Low On-resistance, High speed switching. 
2) Built-in G-S Protection Diode. 

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RW1E014SN
*Title：
Message：
*Code：