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  • Model：SSM6N44FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NT
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		4Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.8~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type •High Speed Switching Applications •Analog Switching Applications • Compact package suitable for high-density mounting • Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •紧凑型封装，适用于高密度安装 •低导通电阻RDS（ON）= 4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RDS（ON）=7.0Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N44FE
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