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  • Model：SSM6N36TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NX
  • Package：SOT-353/SC70-5/ESV

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		500mA/0.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		630mΩ@ VGS = 5V, ID = 200mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.35~1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type • High-Speed Switching Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻：罗恩= 1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） RON =1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） RON =0.85Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RON= 0.66Ω（最大）（@ VGS=4.5 V） RON =0.63Ω（最大）（@ VGS=5.0 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N36TU
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