最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
16V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
5A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.08Ω~0.12Ω @VGS=2.5V,ID=2.5A |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
Vth = 0.5 to 1.1 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV). Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications. * 2.5-V gate drive. * Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.08 mΩ (typ.). * High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.0 S (typ.). * Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 16 V). * Enhancement mode : Vth = 0.5 to 1.1 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA). |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（π-MOSV）。 斩波稳压器和DC-DC转换器应用。 *2.5-V栅极驱动。 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.08mΩ（典型值）。 *较强的正向转移导纳：YFS|=8.0Ş（典型值）。 *低漏电流IDSS= 100μA（最大值）（VDS=16 V）。 *增强模式：VTH =0.5至1.1 V（VDS=10V，ID= 1毫安）。 |