Scavenging browsing Mobile
Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SA1036K PNP transistors（BJT） -40V -500mA/-0.5A 200MHz 180~390 -600mV/-0.6V SOT-23/SMT3 marking HP low voltage operating
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
−40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
−600mV/-0.6V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | SURFACE MOUNT Medium Power PNP Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat).Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K. |
| 描述与应用 | 表面贴装中等功率PNP晶体管 特点 1）大型IC。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（SAT）。非常适于低电压操作。 3）补充2SC2411K |
