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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SA1434 PNP transistors（BJT） -60V -100mA/-0.1A 100MHz 500~1200 -200mV/-0.2V SOT-23/CP marking FL Low-Frequency General-Purpose Amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 500~1200 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications Applications · Low frequency general-purpose amplifiers, drivers, muting circuits. Features · Very small-sized package permitting 2SA1434-used sets to be made smaller, slimer. · Adoption of FBET process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). · High VEBO (VEBO≥15V). |
| 描述与应用 | HFE高，低频率的通用放大器应用 应用 ·低频通用放大器，驱动程序， 静音电路。 特点 ·小型封装，允许2SA1434使用集变得更小，slimer。， ·采用的FBET过程。 ·高DC电流增益（电流增益（hFE）=500〜1200）。 ·低集电极 - 发射极饱和电压 （VCE（sat）的≤0.5V）。 ·高VEBO（VEBO≥15V）。 |
