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2SD1949 NPN Transistors(BJT) 50V 500mA/0.5A 250MHz 180~390 400mV/0.4V SOT-323/SC-70/UMT3 marking YR
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor (50V, 0.5A) featrues high current low saturation voltage |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管（50V，0.5A） 特点： 高电流 低饱和电压 |
