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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SK2035 MOSFET N-Channel 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking KP fast switch/high input impedance/Low Gate Threshold Voltage
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 8Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Features Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Enhancement-mode |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N通道类型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 低栅极阈值电压 优良的开关时间 增强型 |
