Scavenging browsing Mobile
Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SK2973 MOSFET N-Channel 17V SOT-89 marking K1 VHF/UHF power amplifier/high power/high efficiency
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 17V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2-1.8V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.5W |
| Description & Applications | MITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION 2SK2973 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF power amplifiers applications. Features MITSUBISHI RF POWER MOS FET High power gain:Gpe³13dB@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm High efficiency:55% typ Source case type SOT-89 package(connected internally to source) |
| 描述与应用 | 三菱射频功率MOS FET 说明 2SK2973是MOS FET型晶体管专门设计用于 VHF/ UHF功率放大器应用。 特性 三菱射频功率MOS FET 高功率增益：GPE³13分贝@ VDD=9.6V，F =450MHz的，针=17dBm的 高效率：55％（典型值） 源案件类型SOT-89封装（内部连接到源） |
