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BCF29TA PNP transistors（BJT） -32V -200mA/-0.2A 100MHz 120~260 -150mV/-0.15V SOT-23 marking NMP low voltage/high current
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | −32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~260 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • Low level, low noise general purpose applications in thick and thin-film circuits. |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •低级别，低噪音的通用应用在厚薄膜电路 |
