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BSR31 PNP transistors（BJT） -70V -2A 100MHz 100~300 -500mV/-0.5V SOT-89/SC-62 high current/low voltage
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | −70V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −60V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~300 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 1.4W |
| Description & Applications | PNP medium power transistors FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. |
| 描述与应用 | PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •电话和一般工业应用 •厚薄膜电路。 |
