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BSV52 NPN Transistors(BJT) 20V 200mA/0.2A 400MHz 40~120 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking B2 switch
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 500MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 40~120 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN switching transistor FEATURES Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 12 V). APPLICATIONS High speed saturated switching applications, especially in portable equipment. |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 低电流（最大100 mA） 低电压（最大12 V）。 应用 饱和高速开关应用中，特别是在便携式设备。 |
