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KTA1666-Y PNP transistors（BJT） -50V -2A 120MHz 120~240 -500mV/-0.5V SOT-89/SC-62 marking WY power amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~240 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP epitaxial planar transistor Power amplifier applications Power switching applications FEATURES Low saturation voltage High speed switching time Small Flat Package. Complementary to KTC4379. |
| 描述与应用 | PNP外延平面晶体管 功率放大器的应用 电源开关应用 特点 低饱和电压 高速开关时间 小型扁平包装。 KTC4379互补型。 |
