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L8050QLT1 NPN Transistors(BJT) 40V 800mA/0.8A 100~600 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking 1Y
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 800mA/0.8A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~600 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 225mW/0.225W |
| Description & Applications | High current capacity in compact package. IC = 0.8A. Epitaxial planar type. NPN complement: L8050 Pb-Free Package is available. |
| 描述与应用 | 高电流容量，在紧凑的封装。 IC=0.8A。 外延平面型。 NPN补充：L8050 无铅封装。 |
