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PZTA92 PNP transistors（BJT） -300V -500mA/-0.5A 100MHz 40 -500mV/-0.5V SOT-223 marking PZTA92 high breakdown voltage
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −300V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 40 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 1.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon High Voltage Transistor High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: PZTA 42 (NPN) |
| 描述与应用 | PNP硅高压晶体管 高击穿电压 低集电极 - 发射极饱和电压 互补式：PZTA42（NPN） |
