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S-1167B28-16T2G LDO Voltage Regulator 2.8V 200mV/0.2V With Enable Pin SNT-6A marking P4N Short-Circuit Protection Over-Temperature Protection
| 电路数量 Number of Regulators | 1 |
| 输入电压VIN Voltage - Input | 0.3~7V |
| 输出电压VOUT Voltage - Output | 2.8V |
| 输出电流Io Current - Output | 100mA/0.1A |
| 最大压降VDO Voltage - Dropout | 200mV/0.2V |
| 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能) With Enable Pin | 有 Yes |
| 最大耗散功率Pd Power dissipation | |
| Description & Applications | ULTRA LOW CURRENT CONSUMPTION, HIGH RIPPLE REJECTION AND LOW DROPOUT CMOS VOLTAGE REGULATOR ;•Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. • High-accuracy output voltage: ±1.0% • Low dropout voltage: 140 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 200 mA) • Low current consumption: During operation: 35 μA typ., 65 μA max. During shutdown: 0.1 μA typ., 1.0 μA max. • High peak current capability: 200 mA output is possible (at VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) • Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. • High ripple rejection: 70 dB typ. (at 1.0 kHz) • Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted |
| 描述与应用 | 超低电流消耗，高纹波抑制 低压差CMOS电压稳压器;•输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 •高输出电压精度：±1.0％ •低压差电压：140 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 200毫安） •低电流消耗：在操作过程中：35μA（典型值），最大为65μA。 休眠时：0.1μA（典型值），1.0μA最大值。 •高峰值电流能力：200 mA输出是可能的（在VIN≥VOUT（S）+1.0 V） •内置开/关控制电路，确保电池寿命长。 •高纹波抑制：70 dB（典型值）。 （1.0千赫） •内置过载电流保护，可以限制输出晶体管的过载电流 |
