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EEPROMs-serial memory S-24CS16AOI-H6T1 WLP-6A marking D13
| 存储器格式 Format - Memory | EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial |
| 存储器类型 Memory Type | EEPROM |
| 存储容量 Memory Size | 2K (128 x 16) |
| 速度 Speed | 100kHz，400kHz |
| 接口 Interface | I²C，2 线串口 I²C, 2-Wire Serial |
| 电源电压 Voltage - Supply | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Description & Applications | 2-WIRE CMOS SERIAL E2PROM Features • Low power consumption Standby: 5.0 µA Max. (VCC = 5.5 V) Read: 0.8 mA Max. (VCC = 5.5 V) • Operating voltage range Read: 1.8 to 5.5 V Write: 2.7 to 5.5 V • Page write: 16 bytes / page • Sequential read • Operating frequency: 400 kHz (VCC = 5 V ±10 %) • Write disable function when power supply voltage is low • Endurance: 106 cycles / word *1 (at +25 °C) write capable, 105 cycles / word *1(at +85 °C) *1. For each address (Word: 8 bits) • Data retention: 10 years (after rewriting 105 cycles / word at +85 °C) • Write protection: 100% • Lead-free products |
| 描述与应用 | MOS 2线串行E2PROM •低功耗待机模式：5.0μA最大。 （VCC = 5.5 V） 阅读：0.8 mA最大。 （VCC = 5.5 V） •工作电压范围读出：1.8至5.5 V 写：2.7至5.5 V •页写入16字节/页 •顺序读出 •工作频率：400千赫（VCC = 5 V±10％） •写禁用功能，当电源电压低 •耐久性：106次/字 *1（+25°C）写能力， 105次/字 * 1（在+85°C） * 1。对于每一个地址（字：8位） •数据保存期：10年（后改写105 次/字，在+85°C） •写保护：100％ •无铅产品 |
