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EEPROMs-serial memory TC9WMB1FK US8 marking 9WM
| 存储器格式 Format - Memory | EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial |
| 存储器类型 Memory Type | EEPROM |
| 存储容量 Memory Size | 1K (128 x 8) |
| 速度 Speed | |
| 接口 Interface | I²C，2 线串口 I²C, 2-Wire Serial |
| 电源电压 Voltage - Supply | |
| Description & Applications | TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuits Silicon Monolithic 1,024-Bit (128 × 8 Bit) Serial E2PROM TC9WMB2FK: 2048-Bit (256 × 8 Bit) 2-Wire Serial E2PROM The TC9WMA1FK is electrically erasable/programmable nonvolatile memory (E2PROM). Features 2-wire serial interface (I 2C BUSTM) (Note 1) Single power supply Read: VCC = 1.8 to 5.5 V Write: VCC = 2.3 to 5.5 V Low power consumption: 5 µA (in standby state) 0.5 mA (in read state) Operating frequency: 400 kHz (VCC = 2.3 to 5.5 V) Byte write and page (8-byte) write Write protection Sequential read Write time: 10 ms (VCC = 3.0 to 5.5 V) 2 ms (VCC = 2.3 to 2.7 V) Write endurance: 105 times Data retention: 10 years Wide operating temperature range: −40 to 85°C Package: US8 Note 1: I 2C BUS is a trademark of Royal Philips Electronics N.V. |
| 描述与应用 | 东芝CMOS数字集成电路硅单片 1024位（128×8位）串行E2PROM TC9WMB2FK：2048位（256×8位）2线串行E2PROM 的TC9WMA1FK是电可擦除/可编程 非易失性存储器（E2PROM） 2线串行接口（I 2C BUSTM）（注1） 单电源供电 阅读：VCC = 1.8至5.5 V 写：VCC= 2.3到5.5 V 低功耗：5μA（在待机状态） 0.5毫安（在读状态） 工作频率：400千赫（VCC= 2.3到5.5 V） （8个字节）字节写和页写 写保护 顺序读 发表时间：10毫秒（VCC=3.0至5.5 V） 2毫秒（VCC=2.3到2.7 V） 擦写次数：105次 数据保存：10年 宽工作温度范围：-40至85°C 包装：US8注1：我 2C总线是皇家飞利浦电子NV的商标 |
