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PMBT5551 NPN Transistors(BJT) 180V 300mA/0.3A 300MHz 250 150mV~200mV SOT-23/SC-59 marking pG1 high voltage
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 300mA/0.3A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 250 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV~200mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN high-voltage transistor FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose • Telephony. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 | NPN高电压晶体管 特点 •低电流（最大300毫安） •高电压（最大160 V）。 应用 •通用 •电话。 说明 NPN高压晶体管在SOT23塑料包装。 |
