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2SD780 NPN Transistors(BJT) Vcbo=60V Vceo=60v Ic= 300mA/0.3A ft=140MHz HFE=200~320 Vce=150mV/0.15VSOT-23/SC-59 marking DW4 radiopower amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
60V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
300mA/0.3A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
140MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~320 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | Audio Frenquency Power Amplifier NPN Silicon Transistor Mini Mold micro package； high DC current gain，hFE：200 |
| 描述与应用 | 音频功率放大器的频率为NPN型硅晶体管小型模具 微封装; 高直流增益，HFE：200 |
