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2SB1386 PNP transistors（BJT） -30V -5A 120MHz 180~390 -1000mV/-1V SOT-89/SC-62 marking BHR
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 180~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -1000mV/-1V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Feature 1) Low VCE(sat). 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2098 |
