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BCP56-16 NPN Transistors(BJT) 100V 1A 130MHz 100~250 500mV/0.5V SOT-223 marking BCP56
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 130MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~250 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 1.33W |
| Description & Applications | NPN medium power transistor FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Switching. |
| 描述与应用 | NPN中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •开关 |
