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BCP56-16 NPN Transistors(BJT) 100V 1A 130MHz 100~250 500mV/0.5V SOT-223 marking BCP56
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 130MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~250 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51...BCP53 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 | NPN硅晶体管自动对焦 •对于AF驱动器和输出级 •高集电极电流 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补类型：BCP51 BCP53（PNP） •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101 |
