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S-T111B33MC LDO Voltage Regulator 3.3V 190mV/0.19V With Enable Pin SOT-153/SOT23-5 marking OGS Short-Circuit Protection Over-Temperature Protection
| 电路数量 Number of Regulators | 1 |
| 输入电压VIN Voltage - Input | -0.3~7V |
| 输出电压VOUT Voltage - Output | 3.3V |
| 输出电流Io Current - Output | 100mA/0.1A |
| 最大压降VDO Voltage - Dropout | 190mV/0.19V |
| 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能) With Enable Pin | 有 Yes |
| 最大耗散功率Pd Power dissipation | 600mW/0.6W |
| Description & Applications | HIGH RIPPLE-REJECTION LOW DROPOUT CMOS VOLTAGE REGULATOR •Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. • High-accuracy output voltage: ±1.0% • Low dropout voltage: 190 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 100 mA) • Low current consumption: During operation: 50 μA typ., 90 μA max. During shutdown: 0.1 μA typ., 1.0 μA max. • High peak current capability: 150 mA output is possible (at VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) • Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. • Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 0.1 μF or more can be used for the output capacitor. • High ripple rejection: 80 dB typ. (at 1.0 kHz) • Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted |
| 描述与应用 | 高纹波抑制低压差CMOS电压稳压器 •输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 •高输出电压精度：±1.0％ •低压差电压：190 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 100 mA时） •低电流消耗：在操作过程中：50μA（典型值），最大90μA。 休眠时：0.1μA（典型值），1.0μA最大值。 •高峰值电流能力：输出150 mA（VIN≥VOUT（S）+1.0 V） •内置开/关控制电路，确保电池寿命长。 •可以使用低ESR电容：0.1μF以上的陶瓷电容器可用于输出电容。 •高纹波抑制：80 dB（典型值）。 （1.0千赫） •内置过载电流保护，可以限制输出晶体管的过载电流 |
