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CPH3216 NPN Transistors(BJT) 80V 1A 420MHz 200~560 190mV/0.19V SOT-23/SC-59 marking CR DCswitch application
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 420MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~560 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 190mV/0.19V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 900mW/0.9W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC Converter Applications Applications :Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm). High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 DC转换器应用 应用范围：继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器。 特点 通过MBIT流程。 大电流容量。 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 超小型封装有利于小型化的终端产品（安装高度：0.9毫米）。 高允许功耗。 |
