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BCW68F PNP transistors（BJT） -60V -800mA/-0.8A 200MHz 100~250 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking DF high current gain
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -800mA/-0.8A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~250 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCW65, BCW66 (NPN) |
| 描述与应用 | 对于一般AF应用 高电流增益 集电极 - 发射极饱和电压低 互补类型：BCW65，BCW66（NPN） |
