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BCW30 PNP transistors（BJT） -32V -500mA/-0.5A 215~500 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking C2 general amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | −32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 215~500 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •通用开关和放大 |
