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PMSTA06 NPN Transistors(BJT) 80V 500mA/0.5A 100MHz 50 250mV/0.25V SOT-323/SC-70 marking t1G
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 50 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Primarily intended for telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. |
| 描述与应用 | 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大80 V）。 应用 •主要用于电话和专业 通信设备。 说明 NPN晶体管在SOT323塑料包装。 |
