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BC807-25W PNP transistors（BJT） Vcbo=-50V Vco=-45v Ic= -500mA/-0.5A ft=80MHz hfe=160~400 Vce=-700mV/-0.7V SOT-323 marking 5B high current gain
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
−50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−45V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
160~400 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
−700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | PNP Silicon AF Transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | PNP硅晶体管自动对焦 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大45 V）。 应用 •通用开关和放大。 |
