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Integrated Circuit（IC） NAND gate TC7SH00FE SOT-553/ESV marking H1
| 逻辑类型 Logic Type | 与非门 NAND Gate |
| 电路数 Number of Circuits | 1 |
| 输入数 Number of Inputs | 2 |
| 电源电压Vcc Voltage - Supply | 2V~5.5v |
| 静态电流Iq Current - Quiescent (Max) | 2uA |
| 输出高，低电平电流 Current - Output High, Low | -8mA,8mA |
| 低逻辑电平 Logic Level - Low | 0.5V |
| 高逻辑电平 Logic Level - High | 1.5V |
| 传播延迟时间@Vcc，CL Max Propagation Delay @ V, Max CL | 7.5ns @4.5V~5.5V ，50pF |
| Description & Applications | 2-Input NAND Gate ；Super high speed operation : tPD = 3.7 ns (typ.) @VCC = 5 V • Low power dissipation : ICC = 2 µA (Max.) @ Ta = 25°C • High noise immunity : VNIH = VNIH = 28% VCC (Min.) • 5.5V tolerant input. • Wide operation voltage range : VCC (opr) = 2~5.5 V |
| 描述与应用 | 2输入与非门;超高速运转：TPD= 3.7纳秒（典型值） @ VCC = 5 V •低功耗：ICC= 2μA（最大） @助教= 25°C •高抗干扰性：VNIH= VNIH VCC=28％（最小） •5.5V宽容输入。 •宽工作电压范围：VCC（OPR）=2〜5.5 V |
