Scavenging browsing Mobile
Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
TCR4S18DWBG LDO Voltage Regulator 1.8V With Enable Pin WCSP4 marking BE Short-Circuit Protection Over-Temperature Protection
| 电路数量 Number of Regulators | 1 |
| 输入电压VIN Voltage - Input | 6V |
| 输出电压VOUT Voltage - Output | 1.8V |
| 输出电流Io Current - Output | 50mA |
| 最大压降VDO Voltage - Dropout | |
| 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能) With Enable Pin | 有 Yes |
| 最大耗散功率Pd Power dissipation | 800mW/0.8W |
| Description & Applications | 200 mA CMOS Low-Dropout Regulator •Low quiescent bias current ( IB = 50 μA (typ.) at IOUT = 0 mA ) • Low stand-by current ( IB(OFF) = 0.1 μA (typ.) at Stand-by mode ) • Low dropout voltage ( VIN - VOUT = 90 mV (typ.) at TCR4S25DWBG, IOUT = 50 mA ) • High ripple rejection ratio ( R.R = 80 dB (typ) at IOUT = 10 mA, f =1kHz ) • Low output noise voltage (VNO = 30 μVrms (typ.) at TCR4S25DWBG, IOUT = 10 mA, 10 Hz ≤ f ≤ 100 kHz) • Auto-discharge • Control pull-down resistor • Overcurrent protection • Ceramic capacitors can be used ( CIN = 0.1 μF, COUT =1.0 μF ) • Very small package, WCSP ( 0.79 mm x 0.79 mm x 0.50 mm ) |
| 描述与应用 | 200毫安的CMOS低压差稳压器 •低静态偏置电流（IB= 50μA（典型值）IOUT= 0毫安） •低待机电流（IB（关） = 0.1μA（典型值）在待机模式） •低压差电压（VIN - VOUT=90 mV的（典型值）在TCR4S25DWBG，IOUT= 50 mA时） •高纹波抑制比（RR= 80分贝（典型值）IOUT= 10 mA时，F =1kHz时） •低输出噪声电压（VNO=30μVrms的（典型值）的TCR4S25DWBG，IOUT = 10毫安，10赫兹≤F≤100千赫） •自动放电 •控制下拉电阻 •过流保护 •可以使用陶瓷电容（CIN= 0.1μF，COUT=1.0μF） •非常小的封装，采用WCSP封装（0.79毫米×0.79毫米×0.50毫米） |
