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2SC6126 NPN High-Speed Switching 20V 3A HEF=100~400 SOT89 MARKING 4M
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
100~400 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.18V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
1.0~2.5W |
| Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. LCD Backlighting Applications. *High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A). * Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max). * High-speed switching: tf = 40 ns (typ.). |
| 描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 LCD背光应用。 *高直流电流增益：HFE=250〜400（IC= 0.3 A）。 *低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）= 0.18 V（最大值）。 *高速开关：TF=40 ns（典型值）。 |
