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BC817-40 NPN Transistors(BJT) Vcbo=50V Vceo=45V Ic=500mA/0.5A ft=100MHz hfe=250~600 Vce=700mV/0.7V sot-323 marking 6C switch and amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
500MA/0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
170MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
250~600 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.7V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
250MW/0.25W |
| Description & Applications | * NPN Silicon AF Transistors. * For general AF applications. * High collector current. * High current gain. * Low collector-emitter saturation voltage. |
| 描述与应用 | * NPN硅晶体管自动对焦。 * 对于一般AF应用。 * 高集电极电流。 * 高电流增益。 * 低集电极 - 发射极饱和电压。 |
