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Inventory:594000 Min Order：10
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  • Model：2N7002K
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+ROHS 07+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：W2K
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current 340mA/0.34A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.8Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 830mW/0.83W
Description & Applications TrenchMOS™ logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Features TrenchMOS™ logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用 renchMOS™逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 特性 TrenchMOS™逻辑电平FET 逻辑电平兼容 开关速度非常快 超小型表面贴装封装 栅源ESD保护二极管

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002K
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