集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -400V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 70MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −800mV/-0.8V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | PNP epitaxial planat silicon transistor High-voltage driver applications high breakdown voltage； adoption of MBIT process； excellent hFE linearity |
| 描述与应用 | PNP的外延planat硅晶体管高电压驱动器应用程序 击穿电压高; 通过MBIT过程的; 出色的放大线性度 |