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2SB1132 PNP transistors（BJT） -40V -1A 150MHz 120~270 -500mV/-0.5V SOT-89/MPT marking BAQ

Inventory:18900 Min Order：10

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Model：2SB1132 T100Q
Manufacturer：HUABAN
Date Code：05+ 05+ROHS
Standard Package：1000
Min Order：10
Mark/silk print/code/type：BAQ
Package：SOT-89/SC-62/MPT

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)	-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)	−32V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)	-1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)	150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)	120~270
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage	−500mV/-0.5V
耗散功率Pc PoWer Dissipation	500mW/0.5W
Description & Applications	Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664
描述与应用	中等功率晶体管特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664

Describe	Supplier model	Manufacturer	Instruction	Stock
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To：: ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED

Product：: 2SB1132 T100Q

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